창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EFC4612R-TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EFC4612R | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 3A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-XFBGA | |
공급 장치 패키지 | EFCP1313-4CC-037 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | EFC4612R-TR-ND EFC4612R-TROSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EFC4612R-TR | |
관련 링크 | EFC461, EFC4612R-TR 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | IPD90P03P4L-04 | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 | IPD90P03P4L-04.pdf | |
![]() | Y162275R0000A9L | RES 75 OHM 8W 0.05% TO220-2 | Y162275R0000A9L.pdf | |
![]() | 0603LS-821XJBC | 0603LS-821XJBC ABC SMD or Through Hole | 0603LS-821XJBC.pdf | |
![]() | FDP7030L_F065 | FDP7030L_F065 Fairchild SMD or Through Hole | FDP7030L_F065.pdf | |
![]() | LT1640AHIS8#PBF | LT1640AHIS8#PBF LINEAR SOP8 -40 -125 I | LT1640AHIS8#PBF.pdf | |
![]() | 1NUS24N9E-P8 | 1NUS24N9E-P8 MR SMD | 1NUS24N9E-P8.pdf | |
![]() | SH6962BCAORGCR | SH6962BCAORGCR TI QFN | SH6962BCAORGCR.pdf | |
![]() | TRR SF2A | TRR SF2A TRR SMB | TRR SF2A.pdf | |
![]() | 3CX5B | 3CX5B CHINA SMD or Through Hole | 3CX5B.pdf | |
![]() | GSPZE/LP-7455 | GSPZE/LP-7455 SIRF BGA | GSPZE/LP-7455.pdf | |
![]() | SI3230 | SI3230 TI NA | SI3230.pdf | |
![]() | PEI332K100VT | PEI332K100VT HJC SMD or Through Hole | PEI332K100VT.pdf |