창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EF2-5NU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | EF2-5NU | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | EF2-5NU | |
| 관련 링크 | EF2-, EF2-5NU 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| TH3D106K050A0800 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D106K050A0800.pdf | ||
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![]() | R6545EAP | R6545EAP ROCKWELL DIP | R6545EAP.pdf | |
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![]() | 54HC4075WUBL | 54HC4075WUBL TI CERPACK14 | 54HC4075WUBL.pdf | |
![]() | 2SC4729 | 2SC4729 ORIGINAL TO-220 | 2SC4729.pdf | |
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![]() | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G ZENTEL SMD or Through Hole | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G.pdf | |
![]() | AM27C040-120DIB | AM27C040-120DIB AMD CWDIP | AM27C040-120DIB.pdf | |
![]() | CL31A226KAFNNNC | CL31A226KAFNNNC SAMSUNG SMD | CL31A226KAFNNNC.pdf |