창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EEUTA1H470S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EEUTA1H470S | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EEUTA1H470S | |
관련 링크 | EEUTA1, EEUTA1H470S 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | CSTCR4M91G55B-R0 | 4.91MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 39pF ±0.15% -40°C ~ 125°C Surface Mount | CSTCR4M91G55B-R0.pdf | |
![]() | BCX53-16T100 | TRANS PNP MPT3 | BCX53-16T100.pdf | |
![]() | LQW15AN5N1B00D | 5.1nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 120 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN5N1B00D.pdf | |
![]() | 1008R-822F | 8.2µH Unshielded Inductor 264mA 2.16 Ohm Max 2-SMD | 1008R-822F.pdf | |
![]() | GLZ3.3B/3.3V | GLZ3.3B/3.3V ITT LL34 | GLZ3.3B/3.3V.pdf | |
![]() | R1114N221BTRFA | R1114N221BTRFA SANYO SMD or Through Hole | R1114N221BTRFA.pdf | |
![]() | IZA056DR | IZA056DR SHARP DIP-42 | IZA056DR.pdf | |
![]() | H7B | H7B AD SOT23-8 | H7B.pdf | |
![]() | GE18I48-P1J | GE18I48-P1J MW SMD or Through Hole | GE18I48-P1J.pdf | |
![]() | SQV322520T-3R3M-N | SQV322520T-3R3M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SQV322520T-3R3M-N.pdf | |
![]() | K4S281633F-RL75 | K4S281633F-RL75 SAMSUNG BGA | K4S281633F-RL75.pdf | |
![]() | JA33331-311P-4F | JA33331-311P-4F FOXCONN SMD or Through Hole | JA33331-311P-4F.pdf |