창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EEU-EB1J4R7S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EB Series, Type A | |
제품 교육 모듈 | LED Lighting Components | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1900 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | EB | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 63V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 5000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 23mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.433"(11.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
다른 이름 | EEUEB1J4R7S P13473 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EEU-EB1J4R7S | |
관련 링크 | EEU-EB1, EEU-EB1J4R7S 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | BFC237865124 | 0.12µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC237865124.pdf | |
![]() | 100417 | 100417 RUBVCON SMD or Through Hole | 100417.pdf | |
![]() | K4S640832F-UC75 | K4S640832F-UC75 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S640832F-UC75.pdf | |
![]() | RAS8P4RJN4.7KNP | RAS8P4RJN4.7KNP ORIGINAL SMD or Through Hole | RAS8P4RJN4.7KNP.pdf | |
![]() | TS80C188EBB | TS80C188EBB INTEL QFP100 | TS80C188EBB.pdf | |
![]() | E-LS1240A | E-LS1240A ST DIP8 | E-LS1240A.pdf | |
![]() | SN74AHC1G14DBVR/A143 | SN74AHC1G14DBVR/A143 TI SOT-153 | SN74AHC1G14DBVR/A143.pdf | |
![]() | DF2S18CT | DF2S18CT TOSHIBA SMD | DF2S18CT.pdf | |
![]() | 521470510 | 521470510 ORIGINAL SMD or Through Hole | 521470510.pdf | |
![]() | N330 QJSCES | N330 QJSCES ORIGINAL BGA | N330 QJSCES.pdf | |
![]() | SIS22224V | SIS22224V ELESTA SMD or Through Hole | SIS22224V.pdf | |
![]() | LA7151MTPT2 | LA7151MTPT2 SANYO SMD or Through Hole | LA7151MTPT2.pdf |