창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EET-UQ2W681EA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TS-UQ Series Datasheet | |
PCN 단종/ EOL | UQ Series 03/Jul/2013 | |
PCN 설계/사양 | Form, Labeling, Material 07/May/2013 | |
PCN 기타 | Snap-In Al electrolytic REACH 07/May/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1922 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | TS-UQ | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 680µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 293m옴 @ 120Hz | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 3.02A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.969"(50.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | EETUQ2W681EA P13344 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EET-UQ2W681EA | |
관련 링크 | EET-UQ2, EET-UQ2W681EA 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
381LQ222M200A452 | 2200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 96 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 381LQ222M200A452.pdf | ||
GRM1555C1H6R4BZ01D | 6.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H6R4BZ01D.pdf | ||
ASPI-0804T-221M-T | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 610 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0804T-221M-T.pdf | ||
RM78701 | Relay Socket Chassis Mount | RM78701.pdf | ||
RT1210FRD07158RL | RES SMD 158 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD07158RL.pdf | ||
HSDL4220 | HSDL4220 AGILENT SMD or Through Hole | HSDL4220.pdf | ||
KC30E1E155M-TS | KC30E1E155M-TS MARUWA SMD | KC30E1E155M-TS.pdf | ||
2SC4226(R25) | 2SC4226(R25) NEC SMD or Through Hole | 2SC4226(R25).pdf | ||
DSPS63512-C21805 | DSPS63512-C21805 N/A DIP | DSPS63512-C21805.pdf | ||
TR35-0.05RJ | TR35-0.05RJ SW TO-220 | TR35-0.05RJ.pdf | ||
PMC25LV512-33SCE | PMC25LV512-33SCE PFLASH SOP8 | PMC25LV512-33SCE.pdf |