창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-EDZVT2R11B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EDZV Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | EMD2 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | EDZVT2R11B-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | EDZVT2R11B | |
| 관련 링크 | EDZVT2, EDZVT2R11B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-200-20-4 | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-200-20-4.pdf | |
![]() | MLF2012A3R3KT000 | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A3R3KT000.pdf | |
![]() | 10268-6212PC | 10268-6212PC M/WSI SMD or Through Hole | 10268-6212PC.pdf | |
![]() | HR0805F-330MJT | HR0805F-330MJT WELWYN SMD or Through Hole | HR0805F-330MJT.pdf | |
![]() | CMC100K | CMC100K ABC SMD or Through Hole | CMC100K.pdf | |
![]() | A476K006 | A476K006 AVX SMD | A476K006.pdf | |
![]() | 71V65903S80PF | 71V65903S80PF IDT SMD or Through Hole | 71V65903S80PF.pdf | |
![]() | ME60N10 | ME60N10 M TO-252-2 | ME60N10.pdf | |
![]() | SL1TTE4R99D | SL1TTE4R99D KOA SMD or Through Hole | SL1TTE4R99D.pdf | |
![]() | RJK0356DPA-01#JO | RJK0356DPA-01#JO RENESAS QFN | RJK0356DPA-01#JO.pdf | |
![]() | po590-05t270r | po590-05t270r vit SMD or Through Hole | po590-05t270r.pdf | |
![]() | HOS200AH/883 | HOS200AH/883 ADI CAN | HOS200AH/883.pdf |