창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EDZTE616.2B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EDZ6.2B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 150mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | EMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | EDZTE616.2B-ND EDZTE616.2BTR EDZTE6162B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EDZTE616.2B | |
관련 링크 | EDZTE6, EDZTE616.2B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
PMC85XP,115 | MOSFET NPN/P CH 30V 2.6A 6HUSON | PMC85XP,115.pdf | ||
HCMA0503-R20-R | 200nH Shielded Wirewound Inductor 22.2A 2.31 mOhm Max Nonstandard | HCMA0503-R20-R.pdf | ||
1008-333G | 33µH Unshielded Inductor 135mA 8 Ohm Max 2-SMD | 1008-333G.pdf | ||
CMF60900K00FKR6 | RES 900K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60900K00FKR6.pdf | ||
QM200HY-24 | QM200HY-24 MITSUBISHI SMD or Through Hole | QM200HY-24.pdf | ||
UPD70108D-5 | UPD70108D-5 NEC SMD or Through Hole | UPD70108D-5.pdf | ||
MSM61802GS-VK | MSM61802GS-VK OKI QFP | MSM61802GS-VK.pdf | ||
TMP75 | TMP75 ORIGINAL SOP | TMP75.pdf | ||
PT5027A | PT5027A NA NA | PT5027A.pdf | ||
AP1509-50SLA,08+ | AP1509-50SLA,08+ DIODES SOP8 | AP1509-50SLA,08+.pdf | ||
PTFA181001GL | PTFA181001GL INFINEON SMD or Through Hole | PTFA181001GL.pdf | ||
bav20wst-r13 | bav20wst-r13 panjit SMD or Through Hole | bav20wst-r13.pdf |