창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-EDZTE6115B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | EDZ15B | |
카탈로그 페이지 | 1644 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 14.7V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 150mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 42옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | EMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | EDZTE6115BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | EDZTE6115B | |
관련 링크 | EDZTE6, EDZTE6115B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C1206C335K8RACTU | 3.3µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C335K8RACTU.pdf | |
![]() | AC2010FK-0752K3L | RES SMD 52.3K OHM 1% 3/4W 2010 | AC2010FK-0752K3L.pdf | |
![]() | 768141680GP | RES ARRAY 13 RES 68 OHM 14SOIC | 768141680GP.pdf | |
![]() | B39182-B7820 | B39182-B7820 EPCOS N A | B39182-B7820.pdf | |
![]() | HN27C256AG-140 | HN27C256AG-140 HITACHI DIP | HN27C256AG-140.pdf | |
![]() | sii9034 | sii9034 SILICON QFP | sii9034.pdf | |
![]() | TLP759(D4-IGM-TP1) | TLP759(D4-IGM-TP1) TOSHIBA SOP8 | TLP759(D4-IGM-TP1).pdf | |
![]() | TMFLA0G157MTRF | TMFLA0G157MTRF Hitachi SMD or Through Hole | TMFLA0G157MTRF.pdf | |
![]() | PR08-2DN2 | PR08-2DN2 ORIGINAL SMD or Through Hole | PR08-2DN2.pdf | |
![]() | 1808GA150JATT1 | 1808GA150JATT1 AVX SMD or Through Hole | 1808GA150JATT1.pdf | |
![]() | DG534DJ | DG534DJ SIL DIP | DG534DJ.pdf |