창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TSOPII66 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | |
관련 링크 | EDD2516AETA-5B-E D, EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | CR4260-0.5 | Current Sensor 0.5A 2 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Module | CR4260-0.5.pdf | |
![]() | 1.5pF (GRM36 COG 1R5C 50PN, PCS) | 1.5pF (GRM36 COG 1R5C 50PN, PCS) INFNEON SMD or Through Hole | 1.5pF (GRM36 COG 1R5C 50PN, PCS).pdf | |
![]() | 595D106X0016B2WLF001 | 595D106X0016B2WLF001 VI/SP 8K-B | 595D106X0016B2WLF001.pdf | |
![]() | V23756A3003A10 | V23756A3003A10 sie SMD or Through Hole | V23756A3003A10.pdf | |
![]() | RCWP7225-391JR | RCWP7225-391JR ORIGINAL SMD or Through Hole | RCWP7225-391JR.pdf | |
![]() | MOS2CT521A 332J | MOS2CT521A 332J AUK NA | MOS2CT521A 332J.pdf | |
![]() | 331BDAAU | 331BDAAU ORIGINAL TSSOP8 | 331BDAAU.pdf | |
![]() | TL431CCPRP | TL431CCPRP ORIGINAL SMD or Through Hole | TL431CCPRP.pdf | |
![]() | BC558CBU | BC558CBU FAIRCHILD TO-92 | BC558CBU.pdf | |
![]() | NV100-SEP. | NV100-SEP. ORIGINAL SMD or Through Hole | NV100-SEP..pdf | |
![]() | CY167-45DMB | CY167-45DMB CY DIP | CY167-45DMB.pdf | |
![]() | SR-S1A2002PS | SR-S1A2002PS NO NO | SR-S1A2002PS.pdf |