창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TSOPII66 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M | |
관련 링크 | EDD2516AETA-5B-E D, EDD2516AETA-5B-E DDR SDRAM 256M 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | L0805150JEWTR\O | 15nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | L0805150JEWTR\O.pdf | |
![]() | CMD6D11BNP-4R7MC | 4.7µH Unshielded Inductor 1.4A 100 mOhm Max Nonstandard | CMD6D11BNP-4R7MC.pdf | |
![]() | Y149612K4000B0R | RES SMD 12.4KOHM 0.1% 0.15W 1206 | Y149612K4000B0R.pdf | |
![]() | THCL2000NL | THCL2000NL TI DIP | THCL2000NL.pdf | |
![]() | PXV1220S-10DB-N2 | PXV1220S-10DB-N2 YDS SMD | PXV1220S-10DB-N2.pdf | |
![]() | HD74HC541FPV | HD74HC541FPV HITACHI SOP | HD74HC541FPV.pdf | |
![]() | MA7W12 | MA7W12 MOSART TQFP | MA7W12.pdf | |
![]() | IDT7V14S12J | IDT7V14S12J IDT PLCC | IDT7V14S12J.pdf | |
![]() | 7412014A10 | 7412014A10 ORIGINAL DIP | 7412014A10.pdf | |
![]() | EPM7032BUC49-3N | EPM7032BUC49-3N ALETRA SMD or Through Hole | EPM7032BUC49-3N.pdf | |
![]() | EKZE500ETC330MH07D | EKZE500ETC330MH07D Chemi-con NA | EKZE500ETC330MH07D.pdf |