창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ECJGVB1A475K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ECJGVB1A475K | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ECJGVB1A475K | |
| 관련 링크 | ECJGVB1, ECJGVB1A475K 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | P6KE56 | TVS DIODE 47.8VWM 80.85VC DO15 | P6KE56.pdf | |
![]() | 445W35B16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35B16M00000.pdf | |
![]() | DSC1101DL2-020.0000T | 20MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101DL2-020.0000T.pdf | |
![]() | BSZ120P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | BSZ120P03NS3GATMA1.pdf | |
![]() | STP18N65M2 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 | STP18N65M2.pdf | |
![]() | AA0402JR-072RL | RES SMD 2 OHM 5% 1/16W 0402 | AA0402JR-072RL.pdf | |
![]() | CDE:0.22U/1200V(941C12P22K) | CDE:0.22U/1200V(941C12P22K) CDE SMD or Through Hole | CDE:0.22U/1200V(941C12P22K).pdf | |
![]() | TB6030F | TB6030F ALPS SOP24 | TB6030F.pdf | |
![]() | NTE3220 | NTE3220 NTE DIPSOP | NTE3220.pdf | |
![]() | UDZS6.2-B-TE17 | UDZS6.2-B-TE17 ROHM SMD or Through Hole | UDZS6.2-B-TE17.pdf | |
![]() | PM63S-330L | PM63S-330L BOURNS SMD | PM63S-330L.pdf | |
![]() | CO6650530.0000 | CO6650530.0000 ORIGINAL SOP4 | CO6650530.0000.pdf |