창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ECH8660-TL-H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | ECH8660 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 12/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 8-ECH | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | ECH8660-TL-H-ND ECH8660-TL-HOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | ECH8660-TL-H | |
관련 링크 | ECH8660, ECH8660-TL-H 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
EGP10D-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | EGP10D-E3/54.pdf | ||
SM2615JT120R | RES SMD 120 OHM 5% 1W 2615 | SM2615JT120R.pdf | ||
DAC8012TR/883 | DAC8012TR/883 AD DIP | DAC8012TR/883.pdf | ||
ECWH10112HVB | ECWH10112HVB PANASONIC DIP | ECWH10112HVB.pdf | ||
2SD1018M | 2SD1018M TOSHIBA DIP | 2SD1018M.pdf | ||
FH28H-80S-0.5SH(41) | FH28H-80S-0.5SH(41) HRS SMD or Through Hole | FH28H-80S-0.5SH(41).pdf | ||
CBC1206-500-302 | CBC1206-500-302 ACT SMD | CBC1206-500-302.pdf | ||
N80960AD4 | N80960AD4 INTEL PLCC | N80960AD4.pdf | ||
MIC2779L-2BM5TR | MIC2779L-2BM5TR MICRON SMD or Through Hole | MIC2779L-2BM5TR.pdf | ||
27C256/BXA-35 | 27C256/BXA-35 PHI/S CWDIP | 27C256/BXA-35.pdf | ||
V56ZA3 | V56ZA3 LITTELFUSE SMD or Through Hole | V56ZA3.pdf | ||
LX6431ACLP | LX6431ACLP Microsemi TO-92-3 | LX6431ACLP.pdf |