창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ECES1EG103N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ECES1EG103N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ECES1EG103N | |
| 관련 링크 | ECES1E, ECES1EG103N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | EEU-EB1V330 | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | EEU-EB1V330.pdf | |
![]() | ECS-36-S-7SX-TR | 3.6864MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-36-S-7SX-TR.pdf | |
![]() | ABLS2-54.000MHZ-B4Y-T | 54MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-54.000MHZ-B4Y-T.pdf | |
![]() | 416F27123ILR | 27.12MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123ILR.pdf | |
![]() | PL521 | PL521 SHARD DIP-4 | PL521.pdf | |
![]() | M88660A | M88660A ORIGINAL QFP-100L | M88660A.pdf | |
![]() | 5341DDZ | 5341DDZ C SSOP16 | 5341DDZ.pdf | |
![]() | FAR-D5NE-782M00-P1D9SZA | FAR-D5NE-782M00-P1D9SZA FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D5NE-782M00-P1D9SZA.pdf | |
![]() | PF17236 | PF17236 TDK SMD or Through Hole | PF17236.pdf | |
![]() | MAX1800EHJ-T | MAX1800EHJ-T MAX TQFP | MAX1800EHJ-T.pdf | |
![]() | 75VN120-50 | 75VN120-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | 75VN120-50.pdf | |
![]() | BT476KP35/66 | BT476KP35/66 BT DIP | BT476KP35/66.pdf |