창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-EBLS2012-100M RDC5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | EBLS2012-100M RDC5 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | EBLS2012-100M RDC5 | |
관련 링크 | EBLS2012-1, EBLS2012-100M RDC5 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 672D477H050FV5J | 470µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can | 672D477H050FV5J.pdf | |
![]() | C3216X7R1E106K160AB | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R1E106K160AB.pdf | |
![]() | 445W32K27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32K27M00000.pdf | |
![]() | RG3216V-6800-P-T1 | RES SMD 680 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-6800-P-T1.pdf | |
![]() | TA8705AN | TA8705AN SANYO DIP | TA8705AN.pdf | |
![]() | XA3S1200E-4FFG256Q | XA3S1200E-4FFG256Q XILINX SMD or Through Hole | XA3S1200E-4FFG256Q.pdf | |
![]() | MIC2027-2BN | MIC2027-2BN ORIGINAL DIP-16 | MIC2027-2BN.pdf | |
![]() | 9D7028 | 9D7028 ORIGINAL SMD or Through Hole | 9D7028.pdf | |
![]() | SOCKET-ADM106XLFZ | SOCKET-ADM106XLFZ AD SMD or Through Hole | SOCKET-ADM106XLFZ.pdf | |
![]() | 216CCP4ALA12FG (RaDeon 200M) | 216CCP4ALA12FG (RaDeon 200M) ATi BGA | 216CCP4ALA12FG (RaDeon 200M).pdf | |
![]() | AMKOR/ANAM 14X20X1.4 | AMKOR/ANAM 14X20X1.4 N/Y TQFP128 | AMKOR/ANAM 14X20X1.4.pdf | |
![]() | EWS3000T-2 | EWS3000T-2 LAMBDA SMD or Through Hole | EWS3000T-2.pdf |