창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-E3216T800 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | E3216T800 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | E3216T800 | |
| 관련 링크 | E3216, E3216T800 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 06033U7R5CAT2A | 7.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06033U7R5CAT2A.pdf | |
![]() | CSPEMI202AG | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 2 Channel R = 68 Ohms, C = 47pF 5-WFBGA, WLCSP | CSPEMI202AG.pdf | |
![]() | 1008R-123J | 12µH Unshielded Inductor 207mA 3.5 Ohm Max Nonstandard | 1008R-123J.pdf | |
![]() | ATC600S3R9BT250T | ATC600S3R9BT250T AMERICANTECHNOLOG SMD or Through Hole | ATC600S3R9BT250T.pdf | |
![]() | SI1303DL-E3 | SI1303DL-E3 SI SOT23-3 | SI1303DL-E3.pdf | |
![]() | ISS200 | ISS200 TOSHIBA DIP | ISS200.pdf | |
![]() | 2SB369 | 2SB369 MAT CAN | 2SB369.pdf | |
![]() | EXC3BB221H (CELLULAR) | EXC3BB221H (CELLULAR) INFNEON SMD or Through Hole | EXC3BB221H (CELLULAR).pdf | |
![]() | DT28F800F3B-95 | DT28F800F3B-95 INTEL SMD or Through Hole | DT28F800F3B-95.pdf | |
![]() | QMV650BT | QMV650BT ORIGINAL SMD or Through Hole | QMV650BT.pdf | |
![]() | LW052 | LW052 TI SSOP | LW052.pdf | |
![]() | UN511M / EI | UN511M / EI Panasonic SOT-323 | UN511M / EI.pdf |