창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-E22/6/16/R-3F3-A630P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | E22/6/16/R-3F3-A630P | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | E22/6/16/R-3F3-A630P | |
관련 링크 | E22/6/16/R-3, E22/6/16/R-3F3-A630P 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MKP385468200JPM4T0 | 0.68µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385468200JPM4T0.pdf | |
![]() | AC1206JR-072M4L | RES SMD 2.4M OHM 5% 1/4W 1206 | AC1206JR-072M4L.pdf | |
![]() | CRCW080524K0FKEAHP | RES SMD 24K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW080524K0FKEAHP.pdf | |
![]() | L2A1611 | L2A1611 LSI PQFP | L2A1611.pdf | |
![]() | NACZF682M10V18X22TR13T2F | NACZF682M10V18X22TR13T2F NIC SMD or Through Hole | NACZF682M10V18X22TR13T2F.pdf | |
![]() | SIL9225X01-E0 | SIL9225X01-E0 SAMSUNG QFP | SIL9225X01-E0.pdf | |
![]() | TP8361AP | TP8361AP TOPRO DIP | TP8361AP.pdf | |
![]() | K6X0808CID-GF55 | K6X0808CID-GF55 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6X0808CID-GF55.pdf | |
![]() | RJ805301000512-SL6AG | RJ805301000512-SL6AG INTEL BGA | RJ805301000512-SL6AG.pdf | |
![]() | DG142V(5.08MM | DG142V(5.08MM ORIGINAL SMD or Through Hole | DG142V(5.08MM.pdf | |
![]() | TPD12SD015AYFFR | TPD12SD015AYFFR TI SMD or Through Hole | TPD12SD015AYFFR.pdf | |
![]() | K77803611M-HC25 | K77803611M-HC25 SAMSUNG BGA | K77803611M-HC25.pdf |