창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DZ23C3V0-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DZ23C2V7 - DZ23C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 음극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DZ23C3V0-FDITR DZ23C3V07F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DZ23C3V0-7-F | |
관련 링크 | DZ23C3V, DZ23C3V0-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | TNPW20102K61BEEY | RES SMD 2.61K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20102K61BEEY.pdf | |
![]() | CW01039K00JE733 | RES 39K OHM 13W 5% AXIAL | CW01039K00JE733.pdf | |
![]() | 39C10CP | 39C10CP IDT DIP | 39C10CP.pdf | |
![]() | NXP406466 | NXP406466 YCL DIP | NXP406466.pdf | |
![]() | 2587813 | 2587813 CONEXANT LEADED PQFP | 2587813.pdf | |
![]() | 1SS223 | 1SS223 NEC SOT23 | 1SS223.pdf | |
![]() | MM561F | MM561F MM SOP7 | MM561F.pdf | |
![]() | T8CQ8F2 | T8CQ8F2 SanRex TO-22OF | T8CQ8F2.pdf | |
![]() | SD 8GB(4)/SD-K08G2B8 BULK | SD 8GB(4)/SD-K08G2B8 BULK TOSHIBA SMD or Through Hole | SD 8GB(4)/SD-K08G2B8 BULK.pdf | |
![]() | 93LC46B-I/P/MICR | 93LC46B-I/P/MICR MICR SMD or Through Hole | 93LC46B-I/P/MICR.pdf | |
![]() | RTE1010N | RTE1010N ITT SMD or Through Hole | RTE1010N.pdf |