창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DZ23C15-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DZ23C2V7 - DZ23C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 15V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DZ23C15-FDITR DZ23C157F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DZ23C15-7-F | |
| 관련 링크 | DZ23C1, DZ23C15-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TE50B27RJ | RES CHAS MNT 27 OHM 5% 50W | TE50B27RJ.pdf | |
![]() | AC0805JR-074K7L | RES SMD 4.7K OHM 5% 1/8W 0805 | AC0805JR-074K7L.pdf | |
![]() | PE0805DRF7T0R05L | RES SMD 0.05 OHM 0.5% 1/3W 0805 | PE0805DRF7T0R05L.pdf | |
![]() | AT93C66A-10PU-1.8 | AT93C66A-10PU-1.8 ATMEL DIP-8 | AT93C66A-10PU-1.8.pdf | |
![]() | T495B105K035AS | T495B105K035AS KEMET SMD or Through Hole | T495B105K035AS.pdf | |
![]() | 2SC3356-T1 R24 | 2SC3356-T1 R24 NEC SOT-23 | 2SC3356-T1 R24.pdf | |
![]() | A3532 | A3532 SONY QFN | A3532.pdf | |
![]() | ICS531486A | ICS531486A INF TSSOP | ICS531486A.pdf | |
![]() | APTM50AM70FT1G | APTM50AM70FT1G Microsemi/APT SP1 | APTM50AM70FT1G.pdf | |
![]() | GP60-02 | GP60-02 ORIGINAL DIODE | GP60-02.pdf | |
![]() | 735386-02/735-386-02 | 735386-02/735-386-02 AMIS SO-32 | 735386-02/735-386-02.pdf |