홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » DXT2012P5-13

Diodes Incorporated DXT2012P5-13

DXT2012P5-13
제조업체 부품 번호
DXT2012P5-13
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
데이터 시트 다운로드
다운로드
DXT2012P5-13 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 237.21984
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DXT2012P5-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DXT2012P5-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DXT2012P5-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DXT2012P5-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DXT2012P5-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DXT2012P5-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DXT2012P5
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
카탈로그 페이지 1462 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)5.5A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 500mA, 5A
전류 - 콜렉터 차단(최대)20nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 2A, 1V
전력 - 최대3.2W
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerDI™ 5
공급 장치 패키지PowerDI™ 5
표준 포장 5,000
다른 이름DXT2012P5-13TR
DXT2012P513
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DXT2012P5-13
관련 링크DXT2012, DXT2012P5-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DXT2012P5-13 의 관련 제품
47µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) C3225Y5V1A476Z/5.pdf
RES 2K OHM 3/4W 0.002% AXIAL Y00232K00000U9L.pdf
1086CT-2.5 AMS SMD or Through Hole 1086CT-2.5.pdf
SD210 ORIGINAL SMD or Through Hole SD210.pdf
MT4LC8M8B6TG-5F/D MEMORY SMD MT4LC8M8B6TG-5F/D.pdf
CLS-RR11A125500R Lumex SMD or Through Hole CLS-RR11A125500R.pdf
PACUSB-U1 SC7070-6 CMD SMD or Through Hole PACUSB-U1 SC7070-6.pdf
HIR303 Microchip NULL HIR303.pdf
TMPA2056DM(SOP8) ORIGINAL SMD or Through Hole TMPA2056DM(SOP8).pdf
CCM2412SF TDK SMD or Through Hole CCM2412SF.pdf
49FCT3807QF ZTEIC QSOP 49FCT3807QF.pdf