홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » DVRN6056-7-F

Diodes Incorporated DVRN6056-7-F

DVRN6056-7-F
제조업체 부품 번호
DVRN6056-7-F
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-26
데이터 시트 다운로드
다운로드
DVRN6056-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 152.89567
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DVRN6056-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DVRN6056-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DVRN6056-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DVRN6056-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DVRN6056-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DVRN6056-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DVRN6056
PCN 설계/사양Bond Wire 16/Sept/2008
Leadframe Material Update 09/Apr/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN + 제너 다이오드(절연)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)600mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)40V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic750mV @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 1V
전력 - 최대300mW
주파수 - 트랜지션250MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지SOT-26
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DVRN6056-7-F
관련 링크DVRN605, DVRN6056-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DVRN6056-7-F 의 관련 제품
4700pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) VJ1206Y472KXEAT5Z.pdf
RES 2.7 OHM 5W 10% RADIAL CPR052R700KE14.pdf
PMI5962-8688701CA ORIGINAL DIP PMI5962-8688701CA.pdf
NKG131MP-B STANLEY ROHS NKG131MP-B.pdf
MCD26/18I01B IXYS SMD or Through Hole MCD26/18I01B.pdf
HFB62728 AVAGO QFN HFB62728.pdf
CY7C150-12SC NA/ SOP CY7C150-12SC.pdf
P1169.105T PULSE SMD or Through Hole P1169.105T.pdf
AM4HA200X ALPHA DICE AM4HA200X.pdf
EPSON012 EPSON SOP EPSON012.pdf
LM78M051 TI DIPSOP LM78M051.pdf