창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DTC143ZET1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx233, MMUN2233L, DTC143Zxx, NSBC143ZF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DTC143ZET1G-ND DTC143ZET1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTC143ZET1G | |
| 관련 링크 | DTC143, DTC143ZET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5952CP/TR12 | DIODE ZENER 130V 1.5W DO204AL | 1N5952CP/TR12.pdf | |
![]() | ATCA-07-560M-V | 56µH Unshielded Toroidal Inductor 7A 20 mOhm Max Radial | ATCA-07-560M-V.pdf | |
![]() | CFS1/4CT26A 392J | CFS1/4CT26A 392J KOA SMD or Through Hole | CFS1/4CT26A 392J.pdf | |
![]() | ECE2102 | ECE2102 SMSC QFN | ECE2102.pdf | |
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![]() | A1147LLHLT | A1147LLHLT ALLEGRO SMD or Through Hole | A1147LLHLT.pdf | |
![]() | LM5109BMA/NOP | LM5109BMA/NOP NSC Call | LM5109BMA/NOP.pdf | |
![]() | R5426D106DA-TR | R5426D106DA-TR RICOH SON-8 | R5426D106DA-TR.pdf | |
![]() | PBT71638B1 | PBT71638B1 TOSHIBA BARE CHIP | PBT71638B1.pdf | |
![]() | JK250 | JK250 ORIGINAL SMD or Through Hole | JK250.pdf | |
![]() | LMX2531LQE1146 | LMX2531LQE1146 NS 36-WFQFN | LMX2531LQE1146.pdf |