창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DTC143EKAT146 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DTC143E Series | |
카탈로그 페이지 | 1635 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DTC143EKAT146TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DTC143EKAT146 | |
관련 링크 | DTC143E, DTC143EKAT146 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | K181K10C0GH5TH5 | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K181K10C0GH5TH5.pdf | |
![]() | RFM12U7X(TE12L,Q) | MOSFET N-CH PW-X | RFM12U7X(TE12L,Q).pdf | |
![]() | 752123330GP | RES ARRAY 6 RES 33 OHM 12SRT | 752123330GP.pdf | |
![]() | ISPPAD10-01PI | ISPPAD10-01PI ORIGINAL DIP28P | ISPPAD10-01PI.pdf | |
![]() | STC11F32XE-35I-LQF | STC11F32XE-35I-LQF STC QFP | STC11F32XE-35I-LQF.pdf | |
![]() | HMK316BJ224ML-T | HMK316BJ224ML-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | HMK316BJ224ML-T.pdf | |
![]() | PO3B22A | PO3B22A POTATO SMD or Through Hole | PO3B22A.pdf | |
![]() | RD38F1030WOYBQ2 | RD38F1030WOYBQ2 INTEL BGA | RD38F1030WOYBQ2.pdf | |
![]() | GTP10N40F1D | GTP10N40F1D KA/INF SMD or Through Hole | GTP10N40F1D.pdf | |
![]() | D3S18 | D3S18 EUPEC SMD or Through Hole | D3S18.pdf |