창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DTC124EM3T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 260mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-723 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | DTC124EM3T5G-ND DTC124EM3T5GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTC124EM3T5G | |
| 관련 링크 | DTC124E, DTC124EM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ISC1812RXR39K | 390nH Shielded Wirewound Inductor 394mA 450 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RXR39K.pdf | |
![]() | RT0603WRE0718RL | RES SMD 18 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRE0718RL.pdf | |
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![]() | W588S0805600 | W588S0805600 WINB SMD or Through Hole | W588S0805600.pdf | |
![]() | UC2485A | UC2485A UNIDEN TQFP | UC2485A.pdf | |
![]() | K4H511638D-UCCC00 | K4H511638D-UCCC00 NS SMD or Through Hole | K4H511638D-UCCC00.pdf | |
![]() | P0250473NLT | P0250473NLT pulse SMD or Through Hole | P0250473NLT.pdf | |
![]() | BTA08-800TW | BTA08-800TW ST SMD or Through Hole | BTA08-800TW.pdf | |
![]() | DS21604 | DS21604 MAXIM NAVIS | DS21604.pdf | |
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