창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DTC124EET1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DTC124EET1G-ND DTC124EET1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTC124EET1G | |
| 관련 링크 | DTC124, DTC124EET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TC1071VCTTR | TC1071VCTTR MCP SMD or Through Hole | TC1071VCTTR.pdf | |
![]() | 65350-008LF | 65350-008LF ORIGINAL SOP28 | 65350-008LF.pdf | |
![]() | TLC7133 | TLC7133 TEXAS SOP | TLC7133.pdf | |
![]() | TPS72218DBVTG4 | TPS72218DBVTG4 TI SOT23-5 | TPS72218DBVTG4.pdf | |
![]() | ASM809TEURF | ASM809TEURF ALLIANCE SOT-23 | ASM809TEURF.pdf | |
![]() | TDA1675A- | TDA1675A- ST ZIP | TDA1675A-.pdf | |
![]() | 687840003 | 687840003 MOLEX SMD or Through Hole | 687840003.pdf | |
![]() | G9EB-1-B-DC12V | G9EB-1-B-DC12V OMRON SMD or Through Hole | G9EB-1-B-DC12V.pdf | |
![]() | R5F64611JFP | R5F64611JFP RENESAS SMD or Through Hole | R5F64611JFP.pdf | |
![]() | BZT52C5V1LP | BZT52C5V1LP DIODES SOD-323 | BZT52C5V1LP.pdf | |
![]() | BA9202F | BA9202F ROHM SOP | BA9202F.pdf | |
![]() | D509S2600T | D509S2600T EUPEC SMD or Through Hole | D509S2600T.pdf |