창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DTA144EM3T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 260mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-723 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DTA144EM3T5G | |
| 관련 링크 | DTA144E, DTA144EM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HC-49/U-S20000000ABJB | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S20000000ABJB.pdf | |
![]() | CPR031R600JE14 | RES 1.6 OHM 3W 5% RADIAL | CPR031R600JE14.pdf | |
![]() | 222203790047- | 222203790047- PHILIPS DIP | 222203790047-.pdf | |
![]() | 2614C | 2614C ORIGINAL DIP | 2614C.pdf | |
![]() | SIOV-CN1206K11G | SIOV-CN1206K11G EPCOS SMD | SIOV-CN1206K11G.pdf | |
![]() | M25P05AVMN6G | M25P05AVMN6G ST SO8FLQFN | M25P05AVMN6G.pdf | |
![]() | GC329C920A0 | GC329C920A0 KEC SMD or Through Hole | GC329C920A0.pdf | |
![]() | RT0805FRE0722K | RT0805FRE0722K yageo SMD or Through Hole | RT0805FRE0722K.pdf | |
![]() | SVD7N80F | SVD7N80F ORIGINAL TO-220F | SVD7N80F.pdf | |
![]() | 0402CS-6N8XJLC | 0402CS-6N8XJLC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402CS-6N8XJLC.pdf | |
![]() | WD30-12D09 | WD30-12D09 ORIGINAL SMD or Through Hole | WD30-12D09.pdf | |
![]() | FP6360-33WDGTR | FP6360-33WDGTR Fitipower TDFN-6 | FP6360-33WDGTR.pdf |