창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSEI8-06AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSEI8-06A/AS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | FRED | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | DSEI8-06ASTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSEI8-06AS | |
| 관련 링크 | DSEI8-, DSEI8-06AS 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | C1210C682J2GACAUTO | 6800pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C682J2GACAUTO.pdf | |
![]() | 4232-682F | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 294mA 2.4 Ohm Max 2-SMD | 4232-682F.pdf | |
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![]() | 1S2836-T1B(A4B) | 1S2836-T1B(A4B) ORIGINAL SOT23 | 1S2836-T1B(A4B).pdf | |
![]() | LM26CIM5X-VPA(TVPA) | LM26CIM5X-VPA(TVPA) NS SOT235 | LM26CIM5X-VPA(TVPA).pdf | |
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![]() | SD101CW-S3 | SD101CW-S3 GP SMD or Through Hole | SD101CW-S3.pdf | |
![]() | LM318MX+ | LM318MX+ NSC ROHS | LM318MX+.pdf | |
![]() | HYM536120W70/HY531000AJ70 | HYM536120W70/HY531000AJ70 HYN SIMM | HYM536120W70/HY531000AJ70.pdf | |
![]() | XC3SD3400A-4FGG676 | XC3SD3400A-4FGG676 Xilinx BGA | XC3SD3400A-4FGG676.pdf |