창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8121BI2T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8101,21 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8121 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 10MHz ~ 100MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8121BI2T | |
| 관련 링크 | DSC812, DSC8121BI2T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | 08055J4R3BAWTR | 4.3pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J4R3BAWTR.pdf | |
![]() | SIT8008BC-23-33E-58.632099G | OSC XO 3.3V 58.632099MHZ | SIT8008BC-23-33E-58.632099G.pdf | |
![]() | RT0402BRD0760K4L | RES SMD 60.4KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD0760K4L.pdf | |
![]() | CMF55180K00FKEA | RES 180K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55180K00FKEA.pdf | |
![]() | 940-F4X-2D-001-180E | 940-F4X-2D-001-180E HONEYWELL SMD or Through Hole | 940-F4X-2D-001-180E.pdf | |
![]() | M30201F6VFP | M30201F6VFP RENESAS QFP | M30201F6VFP.pdf | |
![]() | MB90098APF-G-153-B | MB90098APF-G-153-B FUJI SOP28 | MB90098APF-G-153-B.pdf | |
![]() | BZX99-C2V7 2.7V | BZX99-C2V7 2.7V NXP SOT23 | BZX99-C2V7 2.7V.pdf | |
![]() | AD9889BBSTZ | AD9889BBSTZ AD 80-LeadLQFP | AD9889BBSTZ.pdf | |
![]() | 1N1343BR | 1N1343BR microsemi DO-4 | 1N1343BR.pdf | |
![]() | GT64120-B-1 | GT64120-B-1 GALILEO BGA | GT64120-B-1.pdf |