창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8121AL2T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8101,21 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8121 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 10MHz ~ 170MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8121AL2T | |
| 관련 링크 | DSC812, DSC8121AL2T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | UMJ1A470MDL | 47µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UMJ1A470MDL.pdf | |
![]() | 416F26022ALT | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022ALT.pdf | |
![]() | BAV199Q-7-F | DIODE DUAL 85V 140MA SOT23 | BAV199Q-7-F.pdf | |
![]() | LTR50UZPJ751 | RES SMD 750 OHM 1W 2010 WIDE | LTR50UZPJ751.pdf | |
![]() | RNF14FAD12K1 | RES 12.1K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD12K1.pdf | |
![]() | CP0002200R0JE14 | RES 200 OHM 2W 5% AXIAL | CP0002200R0JE14.pdf | |
![]() | BUK215 | BUK215 ORIGINAL SMD or Through Hole | BUK215.pdf | |
![]() | CR33-U6 | CR33-U6 ORIGINAL PLCC32 | CR33-U6.pdf | |
![]() | MDC200-06 | MDC200-06 GUERTE SMD or Through Hole | MDC200-06.pdf | |
![]() | ISPLSI5512V-110LB388 | ISPLSI5512V-110LB388 Lattice BGA-388P | ISPLSI5512V-110LB388.pdf | |
![]() | RD2.0UH-T1 | RD2.0UH-T1 NEC SMD or Through Hole | RD2.0UH-T1.pdf | |
![]() | NFM60R30T222T1M00-57-T251 | NFM60R30T222T1M00-57-T251 MURATA SMD or Through Hole | NFM60R30T222T1M00-57-T251.pdf |