창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8103AI2T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8103,23 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8103 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 10MHz ~ 460MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | LVDS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 32mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 리드 없음, 노출형 패드 | |
| 크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 95µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8103AI2T | |
| 관련 링크 | DSC810, DSC8103AI2T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
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![]() | ASPI-0503H-221K-T | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 380mA 2 Ohm Max Nonstandard | ASPI-0503H-221K-T.pdf | |
![]() | Y1624375R000T9R | RES SMD 375 OHM 0.01% 1/5W 0805 | Y1624375R000T9R.pdf | |
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![]() | P51-75-S-H-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-H-I36-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | 9438VAN | 9438VAN AMI PLCC32 | 9438VAN.pdf | |
![]() | 80063-A30053 | 80063-A30053 TELEDYNE AUDIP | 80063-A30053.pdf | |
![]() | XC4013-5PQ208C | XC4013-5PQ208C XILINX QFP | XC4013-5PQ208C.pdf | |
![]() | TXD2-H-5V | TXD2-H-5V Panasonic DIP-SOP | TXD2-H-5V.pdf | |
![]() | NAWT470M50V8X10.5LBF | NAWT470M50V8X10.5LBF NIC SMD | NAWT470M50V8X10.5LBF.pdf | |
![]() | 16WA3300M16X20 | 16WA3300M16X20 Rubycon DIP-2 | 16WA3300M16X20.pdf | |
![]() | DF3-8S-2DSA(55) | DF3-8S-2DSA(55) HIROSE SMD or Through Hole | DF3-8S-2DSA(55).pdf |