창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8002DI2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8002 Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8002 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 150MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | - | |
| 주파수 안정도(총) | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 10mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1µA | |
| 표준 포장 | 140 | |
| 다른 이름 | 576-4677 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8002DI2 | |
| 관련 링크 | DSC800, DSC8002DI2 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D360GXBAP | 36pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D360GXBAP.pdf | |
![]() | SMAJ36A-13 | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMA | SMAJ36A-13.pdf | |
![]() | BC847BPDW1T3G | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88 | BC847BPDW1T3G.pdf | |
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![]() | MK6981FE-R52 | RES 6.98K OHM 1/4W 1% AXIAL | MK6981FE-R52.pdf | |
![]() | MAX692MJA | MAX692MJA MAX DIP-8 | MAX692MJA.pdf | |
![]() | 84039850002 | 84039850002 souriau SMD or Through Hole | 84039850002.pdf | |
![]() | AXA213021P | AXA213021P ORIGINAL N A | AXA213021P.pdf | |
![]() | SG2057 | SG2057 ORIGINAL SMD or Through Hole | SG2057.pdf | |
![]() | ADS8326IBDGKRG4 | ADS8326IBDGKRG4 BB/TI MSOP8 | ADS8326IBDGKRG4.pdf | |
![]() | HD64413ASFI | HD64413ASFI HITACHI QFP | HD64413ASFI.pdf | |
![]() | R1163N301B-TR-F | R1163N301B-TR-F RICOH SOT-23-5 | R1163N301B-TR-F.pdf |