창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8001BL5T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8001 Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8001 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 150MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 12.2mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8001BL5T | |
| 관련 링크 | DSC800, DSC8001BL5T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
| -2.3.jpg) | CGA9P3X7T2E225K250KA | 2.2µF 250V 세라믹 커패시터 X7T 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | CGA9P3X7T2E225K250KA.pdf | |
|  | 416F38423ILT | 38.4MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38423ILT.pdf | |
|  | ELC-12E5R6L | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 4.1A 16 mOhm Radial | ELC-12E5R6L.pdf | |
|  | 767141823GP | RES ARRAY 13 RES 82K OHM 14SOIC | 767141823GP.pdf | |
|  | MAN59098 | MAN59098 QT DIP | MAN59098.pdf | |
|  | FLD3B2LK-A | FLD3B2LK-A sumitomo SMD or Through Hole | FLD3B2LK-A.pdf | |
|  | TEA5767HL/V2+157 | TEA5767HL/V2+157 NS SMD or Through Hole | TEA5767HL/V2+157.pdf | |
|  | SG572168574CL3RIF7/HYB39S12 | SG572168574CL3RIF7/HYB39S12 SMA DIMM | SG572168574CL3RIF7/HYB39S12.pdf | |
|  | ADM6713MAKS-REEL7 | ADM6713MAKS-REEL7 AD SC-70-4 | ADM6713MAKS-REEL7.pdf | |
|  | CA3106R2821PBF80 | CA3106R2821PBF80 CAN SMD or Through Hole | CA3106R2821PBF80.pdf | |
|  | PIC30F2012-20E/SO | PIC30F2012-20E/SO MICROCHI SOP28 | PIC30F2012-20E/SO.pdf |