창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC8001BL2T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC8001 Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC8001 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | 블랭크(사용자 프로그램) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 150MHz | |
| 기능 | 대기 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 12.2mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC8001BL2T | |
| 관련 링크 | DSC800, DSC8001BL2T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
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![]() | 416F24022IKR | 24MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24022IKR.pdf | |
![]() | CLA1B-MKW-F1-5A4-29 | CLA1B-MKW-F1-5A4-29 CREELTD SMD or Through Hole | CLA1B-MKW-F1-5A4-29.pdf | |
![]() | MMSZ13T1(13V) | MMSZ13T1(13V) ON/ONSemiconductor/ SOD-123 1206 | MMSZ13T1(13V).pdf | |
![]() | 2010-330K | 2010-330K ORIGINAL SMD or Through Hole | 2010-330K.pdf | |
![]() | 10A1-151G | 10A1-151G DALE ZIP10 | 10A1-151G.pdf | |
![]() | SPA11N80C3/SPA20N60C3 | SPA11N80C3/SPA20N60C3 Infineon TO220F | SPA11N80C3/SPA20N60C3.pdf | |
![]() | HB-1Y1608-100JT | HB-1Y1608-100JT CERATECH SMD | HB-1Y1608-100JT.pdf | |
![]() | 1N4733A5.1V/1W | 1N4733A5.1V/1W ST DO-41 DO-41 | 1N4733A5.1V/1W.pdf | |
![]() | CAT93C66SI-TE1 | CAT93C66SI-TE1 CATALYST SMD or Through Hole | CAT93C66SI-TE1.pdf | |
![]() | IDT3654-3080 | IDT3654-3080 IDT DIP20 | IDT3654-3080.pdf |