창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC2130FI1-A0025T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC2130, DSC2230 DSC2130FI1-A0025 Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Top Marking Update 02/Jul/2015 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC2130 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 - 출력 1 | 50MHz | |
| 주파수 -출력 2 | - | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVDS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 32mA | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 14-SMD, 무연(QFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC2130FI1-A0025T | |
| 관련 링크 | DSC2130FI1, DSC2130FI1-A0025T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | RCE5C2A680J0DBH03A | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A680J0DBH03A.pdf | |
![]() | 416F40022AST | 40MHz ±20ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40022AST.pdf | |
| SIHH24N65EF-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | SIHH24N65EF-T1-GE3.pdf | ||
![]() | ECLAMP2410P.TCT | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 6 Channel R = 45 Ohms, C = 12pF 16-UFDFN Exposed Pad | ECLAMP2410P.TCT.pdf | |
![]() | AT42QT602240 | AT42QT602240 ATMEL BGA | AT42QT602240.pdf | |
![]() | MSCDRI-6D38150M | MSCDRI-6D38150M MAGLAYERS SMD or Through Hole | MSCDRI-6D38150M.pdf | |
![]() | 1.500MHZ | 1.500MHZ KOAN OSC-F | 1.500MHZ.pdf | |
![]() | ATS276-PG-B-B | ATS276-PG-B-B DIODES SIP-4L | ATS276-PG-B-B.pdf | |
![]() | 6A08 | 6A08 HY SMD or Through Hole | 6A08.pdf | |
![]() | C2012JB2E152KT | C2012JB2E152KT TDK SMD or Through Hole | C2012JB2E152KT.pdf | |
![]() | LTC4217IDHC-12 | LTC4217IDHC-12 LT QFN | LTC4217IDHC-12.pdf | |
![]() | KS10V011LFT | KS10V011LFT C&K SMD | KS10V011LFT.pdf |