창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC2011FE2-F0016 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC2011 DSC2011FE2-F0016 Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Top Marking Update 02/Jul/2015 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC2011 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 - 출력 1 | 25MHz | |
| 주파수 -출력 2 | 50MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 32mA(일반) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 14-SMD, 무연(QFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
| 표준 포장 | 110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC2011FE2-F0016 | |
| 관련 링크 | DSC2011FE, DSC2011FE2-F0016 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH3D14NP-120NC | 12µH Shielded Inductor 600mA 350 mOhm Max Nonstandard | CDRH3D14NP-120NC.pdf | |
![]() | HHV1WSJR-73-12M | RES 12M OHM 1W 5% AXIAL | HHV1WSJR-73-12M.pdf | |
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![]() | BAT54-L4W | BAT54-L4W NXP SOT-23 | BAT54-L4W.pdf | |
![]() | MS3V-1R | MS3V-1R ORIGINAL SMD or Through Hole | MS3V-1R.pdf | |
![]() | MC68332GVAG25 | MC68332GVAG25 FSL SMD or Through Hole | MC68332GVAG25.pdf | |
![]() | S29GL032N11TFIV1 | S29GL032N11TFIV1 SPANSION TSOP | S29GL032N11TFIV1.pdf | |
![]() | T6A40A | T6A40A TOSHIBA tqfp | T6A40A.pdf | |
![]() | 5W 82K | 5W 82K TY SMD or Through Hole | 5W 82K.pdf | |
![]() | 87CH00LF-1252 | 87CH00LF-1252 ORIGINAL QFP | 87CH00LF-1252.pdf |