창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC2010FE2-B0008 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC2010FE2-B0008 Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Top Marking Update 02/Jul/2015 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC2010 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 - 출력 1 | 66.6666MHz, 83.3333MHz, 100MHz | |
| 주파수 -출력 2 | - | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 14-VFQFN 노출형 패드 | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
| 표준 포장 | 110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC2010FE2-B0008 | |
| 관련 링크 | DSC2010FE, DSC2010FE2-B0008 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CX3225GB33333D0HEQCC | 33.333MHz ±20ppm 수정 8pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB33333D0HEQCC.pdf | |
![]() | IS61S6432-6PQ sram | IS61S6432-6PQ sram ISSI QFP | IS61S6432-6PQ sram.pdf | |
![]() | RRE-JA-180 | RRE-JA-180 MICROCHIP SOP-7.2-18P | RRE-JA-180.pdf | |
![]() | LD7269PL | LD7269PL LEADTREND TSSOP | LD7269PL.pdf | |
![]() | CR21B000JT | CR21B000JT RGAllen SMD or Through Hole | CR21B000JT.pdf | |
![]() | UMN1 N TL | UMN1 N TL ROHM SOT-353 | UMN1 N TL.pdf | |
![]() | BU4231G-TR TEL:82766440 | BU4231G-TR TEL:82766440 ROHM SMD or Through Hole | BU4231G-TR TEL:82766440.pdf | |
![]() | TC7WPB306FK(TE85LF | TC7WPB306FK(TE85LF TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7WPB306FK(TE85LF.pdf | |
![]() | V5.5MLA0603R | V5.5MLA0603R LIT SMD | V5.5MLA0603R.pdf | |
![]() | UPD89012F1-002-CA1 | UPD89012F1-002-CA1 NEC BGA | UPD89012F1-002-CA1.pdf | |
![]() | MV3018SOK_R | MV3018SOK_R ORIGINAL SMD or Through Hole | MV3018SOK_R.pdf | |
![]() | P1172.393NL | P1172.393NL PULSE SMD | P1172.393NL.pdf |