창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC2010FE2-B0007 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC2010FE2-B0007 Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Top Marking Update 02/Jul/2015 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC2010 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 - 출력 1 | 22.768MHz, 24.576MHz | |
| 주파수 -출력 2 | - | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 14-VFQFN 노출형 패드 | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
| 표준 포장 | 110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC2010FE2-B0007 | |
| 관련 링크 | DSC2010FE, DSC2010FE2-B0007 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
|  | BAS21W-7 | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323 | BAS21W-7.pdf | |
|  | CRCW20101R33FNTF | RES SMD 1.33 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101R33FNTF.pdf | |
|  | ADE | ADE max 3 SC-70 | ADE.pdf | |
|  | M312L2820EG0-CB3 | M312L2820EG0-CB3 SAMSUNG SMD or Through Hole | M312L2820EG0-CB3.pdf | |
|  | TK11221BM | TK11221BM TOKO SMD or Through Hole | TK11221BM.pdf | |
|  | UTC8050D | UTC8050D UTC TO92 | UTC8050D.pdf | |
|  | 48LC8M16A2TG-7EIT | 48LC8M16A2TG-7EIT MT TSOP54 | 48LC8M16A2TG-7EIT.pdf | |
|  | NACZ-16V470M-R | NACZ-16V470M-R STONE SMD or Through Hole | NACZ-16V470M-R.pdf | |
|  | 26725437450 | 26725437450 BJB SMD or Through Hole | 26725437450.pdf | |
|  | FP-514 | FP-514 RFMD PlasticFlatpack | FP-514.pdf | |
|  | RTMOO2PO2FS | RTMOO2PO2FS ROHM SOT-523 | RTMOO2PO2FS.pdf | |
|  | MVA35VC330MJ10E0 | MVA35VC330MJ10E0 nippon SMD or Through Hole | MVA35VC330MJ10E0.pdf |