창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC2010FE2-B0003T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC2010FE2-B0003 Datasheet | |
PCN 설계/사양 | Top Marking Update 02/Jul/2015 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 핀 구성 가능 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC2010 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 - 출력 1 | 125MHz, 155.52MHz | |
주파수 -출력 2 | - | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
전류 - 공급(최대) | 35mA | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 14-VFQFN 노출형 패드 | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 23mA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC2010FE2-B0003T | |
관련 링크 | DSC2010FE2, DSC2010FE2-B0003T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | CM9900-155 | 1.5mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 700mA DCR 278 mOhm | CM9900-155.pdf | |
![]() | RG3216N-57R6-W-T1 | RES SMD 57.6 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-57R6-W-T1.pdf | |
![]() | 207827-3 | 207827-3 AMP/TYCO AMP | 207827-3.pdf | |
![]() | 74161DC | 74161DC F DIP-16 | 74161DC.pdf | |
![]() | LT3037 | LT3037 LT SOP8 | LT3037.pdf | |
![]() | PTZ TE25 4.7A | PTZ TE25 4.7A ROHM D0-214ACSMA | PTZ TE25 4.7A.pdf | |
![]() | U2T601 | U2T601 TI SMD or Through Hole | U2T601.pdf | |
![]() | TNETC4700GDW | TNETC4700GDW TI BGA | TNETC4700GDW.pdf | |
![]() | FQP16N145 | FQP16N145 ORIGINAL TO-220 | FQP16N145.pdf | |
![]() | CVM25CC160SA520451-02 | CVM25CC160SA520451-02 sanRex SMD or Through Hole | CVM25CC160SA520451-02.pdf | |
![]() | MTM809GBG | MTM809GBG ORIGINAL SMD or Through Hole | MTM809GBG.pdf | |
![]() | KAR06LGGT | KAR06LGGT E-Switch SMD or Through Hole | KAR06LGGT.pdf |