창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC1122CI2-200.0000 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC1102,1122 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC1122 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 200MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVPECL | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 58mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
표준 포장 | 110 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC1122CI2-200.0000 | |
관련 링크 | DSC1122CI2-, DSC1122CI2-200.0000 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | 7M20080001 | 20MHz ±7ppm 수정 16pF 0°C ~ 90°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M20080001.pdf | |
![]() | 7443341000 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 4.4A 41 mOhm Max Nonstandard | 7443341000.pdf | |
![]() | EXB-V4VR000V | RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0606 | EXB-V4VR000V.pdf | |
![]() | UPD65040R-037 | UPD65040R-037 NEC CPGA73 | UPD65040R-037.pdf | |
![]() | CIH10T47NJNC 47NH | CIH10T47NJNC 47NH SAMSUNG SMD or Through Hole | CIH10T47NJNC 47NH.pdf | |
![]() | M5M28C64AVP-15 | M5M28C64AVP-15 MITSUBIS SMD or Through Hole | M5M28C64AVP-15.pdf | |
![]() | TEA0652V1 | TEA0652V1 ph SMD or Through Hole | TEA0652V1.pdf | |
![]() | WPPC-D11084ASS-TLD | WPPC-D11084ASS-TLD ORIGINAL SMD or Through Hole | WPPC-D11084ASS-TLD.pdf | |
![]() | SR103-EP | SR103-EP DDC DIP | SR103-EP.pdf | |
![]() | CRS08/TE85L.Q | CRS08/TE85L.Q TOSHIBA SMD or Through Hole | CRS08/TE85L.Q.pdf | |
![]() | TNR12H220K | TNR12H220K nipponchemi-con DIP-2 | TNR12H220K.pdf | |
![]() | HE2W397M35045 | HE2W397M35045 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2W397M35045.pdf |