창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1121DI5-010.0000T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1101,1121 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1121 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 10MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1121DI5-010.0000T | |
| 관련 링크 | DSC1121DI5-0, DSC1121DI5-010.0000T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ78AHE3/52 | TVS DIODE 78VWM 126VC SMB | SMBJ78AHE3/52.pdf | |
![]() | SIT8208AC-21-33E-27.000000T | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT8208AC-21-33E-27.000000T.pdf | |
![]() | YR1B133KCC | RES 133K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | YR1B133KCC.pdf | |
![]() | GM71C16100BJ6 | GM71C16100BJ6 LG-GS DRAM | GM71C16100BJ6.pdf | |
![]() | LD2756B | LD2756B INTEL DIP | LD2756B.pdf | |
![]() | 2SD1662 | 2SD1662 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SD1662.pdf | |
![]() | DDC666A | DDC666A DDC SMD or Through Hole | DDC666A.pdf | |
![]() | G7L-2A-TJ-CB AC100/120 | G7L-2A-TJ-CB AC100/120 ORIGINAL SMD or Through Hole | G7L-2A-TJ-CB AC100/120.pdf | |
![]() | HRW0627-01-011 | HRW0627-01-011 HOSIDEN SMD or Through Hole | HRW0627-01-011.pdf | |
![]() | TLV2375IDG4 | TLV2375IDG4 TI original | TLV2375IDG4.pdf | |
![]() | RN2130FT | RN2130FT TOSHIBA SOT-490 | RN2130FT.pdf | |
![]() | D05022P781HCB | D05022P781HCB COI COIL | D05022P781HCB.pdf |