창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC1121AI2-125.0032T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC1101,1121 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
PCN 부품 번호 | Micrel to Microchip PN Changes 7/Oct/2015 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC1121 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 125.0032MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 35mA | |
등급 | AEC-Q100 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 리드 없음, 노출형 패드 | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 22mA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC1121AI2-125.0032T | |
관련 링크 | DSC1121AI2-1, DSC1121AI2-125.0032T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
LD051A750JAB2A | 75pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD051A750JAB2A.pdf | ||
SQCAEM5R6CATWE | 5.6pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM5R6CATWE.pdf | ||
LQM18FN2R2M00D | 2.2µH Shielded Multilayer Inductor 120mA 520 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQM18FN2R2M00D.pdf | ||
TNPW2010133RBEEF | RES SMD 133 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010133RBEEF.pdf | ||
BB430 | BB430 ORIGINAL SOT-163 | BB430.pdf | ||
75867-303LF | 75867-303LF FCIELX SMD or Through Hole | 75867-303LF.pdf | ||
203G70TB7001 | 203G70TB7001 FIERY BGA | 203G70TB7001.pdf | ||
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K4D261638F-TC40. | K4D261638F-TC40. SAMSUNG TSOP | K4D261638F-TC40..pdf | ||
K9F5608U0D-JIB0(32MB) | K9F5608U0D-JIB0(32MB) SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F5608U0D-JIB0(32MB).pdf | ||
EETXB2C102KJ | EETXB2C102KJ pan SMD or Through Hole | EETXB2C102KJ.pdf | ||
EZ1085CW | EZ1085CW SC SMD or Through Hole | EZ1085CW.pdf |