창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1101DL1-033.3330 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1101,1121 Datasheet DSC1,8yyy Top Marking Spec | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1101 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 33.333MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.25 V ~ 3.6 V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 35mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 95µA | |
| 표준 포장 | 140 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1101DL1-033.3330 | |
| 관련 링크 | DSC1101DL1-, DSC1101DL1-033.3330 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1557U1A202JA01D | 2000pF 10V 세라믹 커패시터 U2J 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1557U1A202JA01D.pdf | |
![]() | VJ0805D120GXBAC | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120GXBAC.pdf | |
| RSMF3FBR200 | RES METAL OX 3W 0.2 OHM 1% AXL | RSMF3FBR200.pdf | ||
![]() | AD2B31J | AD2B31J AD SMD or Through Hole | AD2B31J.pdf | |
![]() | XCE0106-5FF1517I | XCE0106-5FF1517I XILINX BGA | XCE0106-5FF1517I.pdf | |
![]() | 046843751000846+ | 046843751000846+ KYOCERA SMD | 046843751000846+.pdf | |
![]() | DSF912SM21 | DSF912SM21 AEI MODULE | DSF912SM21.pdf | |
![]() | RD2.2E-T1 | RD2.2E-T1 NEC/ST DIPSMD | RD2.2E-T1.pdf | |
![]() | HLE11002GDVAKTR | HLE11002GDVAKTR SAT SMD or Through Hole | HLE11002GDVAKTR.pdf | |
![]() | MCB0805G121 | MCB0805G121 UNK CAP | MCB0805G121.pdf | |
![]() | GT-50 | GT-50 ORIGINAL SMD or Through Hole | GT-50.pdf | |
![]() | EL5191ACS | EL5191ACS ELNETEC SMD8 | EL5191ACS.pdf |