창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1001DI2-054.0000T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1001 | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1001 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 54MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 7.2mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1001DI2-054.0000T | |
| 관련 링크 | DSC1001DI2-0, DSC1001DI2-054.0000T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | B41858D5278M | 2700µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 24 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C | B41858D5278M.pdf | |
![]() | 416F26012ATR | 26MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26012ATR.pdf | |
![]() | ASD3-66.666MHZ-LR-T | 66.666MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 7mA Enable/Disable | ASD3-66.666MHZ-LR-T.pdf | |
![]() | LT1371HVIR#TRPBF | LT1371HVIR#TRPBF LT TO-263-7 | LT1371HVIR#TRPBF.pdf | |
![]() | K30AGR | K30AGR ORIGINAL TO-92 | K30AGR.pdf | |
![]() | B7722 | B7722 EPCOS SMD or Through Hole | B7722.pdf | |
![]() | MY3N AC110V | MY3N AC110V OMRON SMD or Through Hole | MY3N AC110V.pdf | |
![]() | AM831-876D1011 | AM831-876D1011 ANA SOP | AM831-876D1011.pdf | |
![]() | HVD326CKRU-E | HVD326CKRU-E RENESAS SOD-723 | HVD326CKRU-E.pdf | |
![]() | C124-ES | C124-ES ROHM TO-92S | C124-ES.pdf | |
![]() | L1A7975F | L1A7975F LSI PGA | L1A7975F.pdf | |
![]() | USA1C101M | USA1C101M NICHICON SMD or Through Hole | USA1C101M.pdf |