창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC1001CI2-042.0000T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC1001 | |
애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC1001 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 42MHz | |
기능 | 대기(절전) | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 7.2mA | |
등급 | AEC-Q100 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC1001CI2-042.0000T | |
관련 링크 | DSC1001CI2-0, DSC1001CI2-042.0000T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | E91F3J1VND681MA65T | 680µF 385V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 123 mOhm @ 120Hz 5000 Hrs @ 105°C | E91F3J1VND681MA65T.pdf | |
![]() | 1812HC471MAT1A\SB | 470pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HC471MAT1A\SB.pdf | |
![]() | SIT3822AC-1DF-33EY307.695484T | OSC XO 3.3V 307.695484MHZ | SIT3822AC-1DF-33EY307.695484T.pdf | |
![]() | TLM2HDR030FTE | RES SMD 0.03 OHM 1% 3/4W 2010 | TLM2HDR030FTE.pdf | |
RSMF12JBR120 | RES MO 1/2W 0.12 OHM 5% AXIAL | RSMF12JBR120.pdf | ||
![]() | 1785-64P | 1785-64P M SMD or Through Hole | 1785-64P.pdf | |
![]() | 66728-5 | 66728-5 MISC SMD or Through Hole | 66728-5.pdf | |
![]() | CSM500 | CSM500 QUALCOMM BGA | CSM500.pdf | |
![]() | LM1253DHA | LM1253DHA NS DIP-28 | LM1253DHA.pdf | |
![]() | HISENSEO4US-1 | HISENSEO4US-1 HISENSE DIP36 | HISENSEO4US-1.pdf | |
![]() | RY6WF-6V | RY6WF-6V ORIGINAL SMD or Through Hole | RY6WF-6V.pdf | |
![]() | UPD251G2-T2 | UPD251G2-T2 NEC SOP-14 | UPD251G2-T2.pdf |