창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1001CI2-015.3600T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1001 | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1001 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 15.36MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 6.3mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1001CI2-015.3600T | |
| 관련 링크 | DSC1001CI2-0, DSC1001CI2-015.3600T 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | CQ0402FRNPO9BN180 | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CQ0402FRNPO9BN180.pdf | |
![]() | C1206C475M4VACTU | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C475M4VACTU.pdf | |
![]() | BZX884-B2V4,315 | DIODE ZENER 2.4V 250MW SOD882 | BZX884-B2V4,315.pdf | |
![]() | SST37VF020-70-4C-NH | SST37VF020-70-4C-NH SST PLCC | SST37VF020-70-4C-NH.pdf | |
![]() | IS42S16100C1-6BLI | IS42S16100C1-6BLI ISSI BGA(60) | IS42S16100C1-6BLI.pdf | |
![]() | SMCJ48AE357T | SMCJ48AE357T VISHAY SMD | SMCJ48AE357T.pdf | |
![]() | TLV70233DBVT | TLV70233DBVT TI XX | TLV70233DBVT.pdf | |
![]() | IRF830* | IRF830* ORIGINAL SMD or Through Hole | IRF830*.pdf | |
![]() | SAM-SH-105DM | SAM-SH-105DM GOODSKY DIP-SOP | SAM-SH-105DM.pdf | |
![]() | PT8313A-S | PT8313A-S PTC SMD or Through Hole | PT8313A-S.pdf | |
![]() | THS4502CDRG4 | THS4502CDRG4 TI SOP8 | THS4502CDRG4.pdf |