창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DSC1001CI2-008.0000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DSC1001 | |
| 애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | Microchip Technology | |
| 계열 | DSC1001 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 8MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | CMOS | |
| 전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 6.3mA | |
| 등급 | AEC-Q100 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.035"(0.90mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
| 표준 포장 | 110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DSC1001CI2-008.0000 | |
| 관련 링크 | DSC1001CI2-, DSC1001CI2-008.0000 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D3R3CLCAJ | 3.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R3CLCAJ.pdf | |
![]() | Y16254K30800T9W | RES SMD 4.308K OHM 0.3W 1206 | Y16254K30800T9W.pdf | |
![]() | CMF5561R200DHBF | RES 61.2 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5561R200DHBF.pdf | |
![]() | ASS5014 | ASS5014 PHI DIP28 | ASS5014.pdf | |
![]() | TLV3702IP | TLV3702IP TI-BB PDIP8 | TLV3702IP.pdf | |
![]() | PCF84C81AP/146.144.97EE | PCF84C81AP/146.144.97EE PHI DIP28 | PCF84C81AP/146.144.97EE.pdf | |
![]() | 619-11T-100 | 619-11T-100 MIDTEX/TYCO SMD or Through Hole | 619-11T-100.pdf | |
![]() | 2SC4885 / T13 | 2SC4885 / T13 NEC Sot-323 | 2SC4885 / T13.pdf | |
![]() | 1206W4F5622T5E | 1206W4F5622T5E ROYAL SMD or Through Hole | 1206W4F5622T5E.pdf | |
![]() | 965T-1C-12V | 965T-1C-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | 965T-1C-12V.pdf | |
![]() | E423 | E423 IDT SMD or Through Hole | E423.pdf | |
![]() | DSS-108 | DSS-108 FUJISOKU SMD or Through Hole | DSS-108.pdf |