창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSC1001BI2-066.6660 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DSC1001 | |
애플리케이션 노트 | Clock System Design High-Speed PECL and LVPECL Termination | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | DSC1001 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 66.666MHz | |
기능 | 대기(절전) | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.3 V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 7.2mA | |
등급 | AEC-Q100 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.035"(0.90mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 15µA | |
표준 포장 | 72 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSC1001BI2-066.6660 | |
관련 링크 | DSC1001BI2-, DSC1001BI2-066.6660 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
GRT188C80J475KE01D | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRT188C80J475KE01D.pdf | ||
C1812C683J1GACTU | 0.068µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C683J1GACTU.pdf | ||
PM-5R0V105-R | 1F Supercap 5V Radial, Can 200 mOhm 1000 Hrs @ 60°C 0.681" L x 0.354" W (17.30mm x 9.00mm) | PM-5R0V105-R.pdf | ||
416F52023CTR | 52MHz ±20ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52023CTR.pdf | ||
LAN0061 | LAN0061 LINKCOM SO4 | LAN0061.pdf | ||
SI-3025KS-TL | SI-3025KS-TL SANKEN SOP-8 | SI-3025KS-TL.pdf | ||
BW63RAG-2P | BW63RAG-2P FUJI SMD or Through Hole | BW63RAG-2P.pdf | ||
PM72260016P | PM72260016P ORIGINAL SMD or Through Hole | PM72260016P.pdf | ||
PTD908-10AAP-B203 | PTD908-10AAP-B203 BOURNS SMD or Through Hole | PTD908-10AAP-B203.pdf | ||
FQA28N50F | FQA28N50F FA/B TO-3P | FQA28N50F .pdf | ||
LA76936N 7N 58M2 | LA76936N 7N 58M2 SANYO DIP-64 | LA76936N 7N 58M2.pdf |