창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DSB1A50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 1N581x-1,6759(61)-1,DSB1A20,100 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 50V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
작동 온도 - 접합 | - | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DSB1A50 | |
관련 링크 | DSB1, DSB1A50 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | P4KE130CA-E3/54 | TVS DIODE 111VWM 179VC AXIAL | P4KE130CA-E3/54.pdf | |
![]() | RT0805CRE07191KL | RES SMD 191K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE07191KL.pdf | |
![]() | CMH322522-R22ML | 220nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 320 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CMH322522-R22ML.pdf | |
![]() | RF-HDT-DVBE-N2 | RFID Tag Read/Write 256b (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Encapsulated | RF-HDT-DVBE-N2.pdf | |
![]() | MSM44400BJ-7S | MSM44400BJ-7S MITSUBISHI SOJ20 | MSM44400BJ-7S.pdf | |
![]() | CM200S-32.768KAZFTR-35K | CM200S-32.768KAZFTR-35K ORIGINAL SMD | CM200S-32.768KAZFTR-35K.pdf | |
![]() | EPF10K20RC240-4* | EPF10K20RC240-4* ALTERA DIP | EPF10K20RC240-4*.pdf | |
![]() | 88X2011C2BANI000 | 88X2011C2BANI000 Marvell NA | 88X2011C2BANI000.pdf | |
![]() | SAA7709H/106 | SAA7709H/106 NXP QFP 80 | SAA7709H/106.pdf | |
![]() | S-8244AAAFN-GEAT2G | S-8244AAAFN-GEAT2G SEIKO SSOP-8 | S-8244AAAFN-GEAT2G.pdf | |
![]() | DM54S10J/883C | DM54S10J/883C NS SMD or Through Hole | DM54S10J/883C.pdf |