창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DS34CB6TM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DS34CB6TM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP16 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DS34CB6TM | |
| 관련 링크 | DS34C, DS34CB6TM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | STPS0520Z | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123 | STPS0520Z.pdf | |
| 2N6660-2 | MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 | 2N6660-2.pdf | ||
![]() | TNPW251239K0BEEY | RES SMD 39K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251239K0BEEY.pdf | |
![]() | MT58L32L32PT-10 | MT58L32L32PT-10 ORIGINAL QFP | MT58L32L32PT-10.pdf | |
![]() | TMPZ84C0006AP-6 | TMPZ84C0006AP-6 TOSHIBA DIPLCC | TMPZ84C0006AP-6.pdf | |
![]() | STB6NK80 | STB6NK80 ST TO-263 | STB6NK80.pdf | |
![]() | IP4387CX4/P,315 | IP4387CX4/P,315 NXP NAX000 | IP4387CX4/P,315.pdf | |
![]() | M30624MGA-723GP #U3 | M30624MGA-723GP #U3 Renesas SMD or Through Hole | M30624MGA-723GP #U3.pdf | |
![]() | ST6497B1/XZK | ST6497B1/XZK ST DIP | ST6497B1/XZK.pdf | |
![]() | NJM2106M | NJM2106M JRC SOP-16 | NJM2106M.pdf | |
![]() | YS48F4000-15 | YS48F4000-15 SAMSUNG DIP-32 | YS48F4000-15.pdf | |
![]() | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M378B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333/Long-DIMM.pdf |