창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-DS2502-E48+ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | DS2502-E48+ | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | TO-92 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | DS2502-E48+ | |
관련 링크 | DS2502, DS2502-E48+ 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
DM200-01-3-9350-0-LC | MOD LASER DWDM 8X50GHZ 200KM | DM200-01-3-9350-0-LC.pdf | ||
ISC1812RQR56M | 560nH Shielded Wirewound Inductor 306mA 750 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQR56M.pdf | ||
CDRH8D38NP-4R7NC | 4.7µH Shielded Inductor 4.4A 29 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D38NP-4R7NC.pdf | ||
LELEMF2520T680K | LELEMF2520T680K ORIGINAL SMD or Through Hole | LELEMF2520T680K.pdf | ||
Si5933DC TEL:82766440 | Si5933DC TEL:82766440 VISHAY 1206-8 | Si5933DC TEL:82766440.pdf | ||
215R9RBGA11F R360 | 215R9RBGA11F R360 ATI BGA | 215R9RBGA11F R360.pdf | ||
BLX29 | BLX29 ORIGINAL SMD or Through Hole | BLX29.pdf | ||
H8ACS0CEABR-56M-C | H8ACS0CEABR-56M-C HYNIX BGA | H8ACS0CEABR-56M-C.pdf | ||
UPD64011AGM | UPD64011AGM NEC TQFP | UPD64011AGM.pdf | ||
MCD132-18IO8B | MCD132-18IO8B IXYS MOKUAI | MCD132-18IO8B.pdf | ||
M29W160BB90N | M29W160BB90N STM SMD or Through Hole | M29W160BB90N.pdf | ||
DM11251-J1 | DM11251-J1 FOXCONN SMD or Through Hole | DM11251-J1.pdf |