창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DS2119ME | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | DS2119ME | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TSSOP28 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | DS2119ME | |
| 관련 링크 | DS211, DS2119ME 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| 744877008 | Shielded 2 Coil Inductor Array 32.8µH Inductance - Connected in Series 8.2µH Inductance - Connected in Parallel 110 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.7A Nonstandard | 744877008.pdf | ||
![]() | TNPU080515K0AZEN00 | RES SMD 15K OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU080515K0AZEN00.pdf | |
![]() | PCF80C592 | PCF80C592 PHI SMD or Through Hole | PCF80C592.pdf | |
![]() | VJ1210Y224KXBAT | VJ1210Y224KXBAT VISHAY SMD or Through Hole | VJ1210Y224KXBAT.pdf | |
![]() | K4T1G084QR-HCF7 | K4T1G084QR-HCF7 SAMSUNG BGA | K4T1G084QR-HCF7.pdf | |
![]() | TC7SB384FU(TE85L,F) | TC7SB384FU(TE85L,F) TOSHIBA NA | TC7SB384FU(TE85L,F).pdf | |
![]() | HX8811-C | HX8811-C HIMAX TQFP-64 | HX8811-C.pdf | |
![]() | ADM6711LAKS-REEL7 | ADM6711LAKS-REEL7 ANA SMD or Through Hole | ADM6711LAKS-REEL7.pdf | |
![]() | 15396849 | 15396849 Delphi SMD or Through Hole | 15396849.pdf | |
![]() | SCY99089ADR2G | SCY99089ADR2G ON SMD or Through Hole | SCY99089ADR2G.pdf | |
![]() | T5F DR1.6*1.7D29 | T5F DR1.6*1.7D29 TDK SMD or Through Hole | T5F DR1.6*1.7D29.pdf | |
![]() | LRL-102-100PCV | LRL-102-100PCV OKITA SMD or Through Hole | LRL-102-100PCV.pdf |