창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DRV5013ADQDBZR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DRV5013 Datasheet | |
주요제품 | DRV5013 Digital-Latch Hall-Effect Sensor | |
PCN 조립/원산지 | Additional Wafer FAB 28/Apr/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | DRV5013ADQDBZR Specifications | |
종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
제품군 | 자기 센서 - 스위치(무접점) | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
기능 | Verrou | |
기술 | 홀 효과 | |
분극 | S극 | |
감지 범위 | 5mT 트립, -5mT 릴리스 | |
테스트 조건 | -40°C ~ 125°C | |
전압 - 공급 | 2.7 V ~ 38 V | |
전류 - 공급(최대) | 2.7mA(일반) | |
전류 - 출력(최대) | 30mA | |
출력 유형 | 개방 드레인 | |
특징 | 온도 보상 | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C(TA) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 296-37538-2 DRV5013ADQDBZR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DRV5013ADQDBZR | |
관련 링크 | DRV5013A, DRV5013ADQDBZR 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | GSAP 5-R | FUSE CERAMIC 5A 250VAC 3AB 3AG | GSAP 5-R.pdf | |
![]() | SIT8008BC-13-33E-12.28800D | OSC XO 3.3V 12.288MHZ OE | SIT8008BC-13-33E-12.28800D.pdf | |
![]() | CRCW20101K54FKEF | RES SMD 1.54K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20101K54FKEF.pdf | |
![]() | AA0805FR-079K76L | RES SMD 9.76K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-079K76L.pdf | |
![]() | RG1608P-1821-W-T1 | RES SMD 1.82K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-1821-W-T1.pdf | |
![]() | A80486DX4100L2517A08 | A80486DX4100L2517A08 INTEL SMD or Through Hole | A80486DX4100L2517A08.pdf | |
![]() | S-1711A2833-I6T1U | S-1711A2833-I6T1U SII SNT-6A | S-1711A2833-I6T1U.pdf | |
![]() | 7MBR35SB120B-50 | 7MBR35SB120B-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR35SB120B-50.pdf | |
![]() | 1UF 6.3V A | 1UF 6.3V A KEC SMD or Through Hole | 1UF 6.3V A.pdf | |
![]() | M24256-BWMN6TP. | M24256-BWMN6TP. ST SOP8 | M24256-BWMN6TP..pdf |